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意法半导体GANSPIN新增100V系列GaN功率器件
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AI 综述
意法半导体在其GANSPIN氮化镓产品家族中新增100 V系列三款GaN功率级器件，型号为GANSPIN1102、GANSPIN1102E和GANSPIN1105。三款器件尺寸均为5mm×6.5mm，采用1.12mm厚的LGA封装。据2026年11月12日电子产品世界报道，该系列连续输出电流最高可达60 A，具体取决于器件型号，预计2026年底前上市。目前事件仅此一篇报道，暂无其他进展信息。
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最新进展11月12日 17:38
意法半导体新增GANSPIN 100V系列三款GaN器件，预计2026年底上市。报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
11月12日
- 电子产品世界 · 行业新闻精选意法半导体GANSPIN家族新增100 V系列三款GaN功率级器件
意法半导体在GANSPIN产品家族新增100 V系列三款氮化镓功率级器件GANSPIN1102、GANSPIN1102E和GANSPIN1105，尺寸均为5mm×6.5mm，采用1.12mm厚LGA封装，连续输出电流最高可达60 A（具体取决于器件型号），预计2026年底前上市。
本事件热度走势
当前热度 9·可比范围峰值 10（11月12日 18:00）·近 24 小时可比范围变化 –
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