热点事件持续更新
泛林集团提出SA-CFET架构瞄准1nm节点
1 篇报道1 个报道来源1 小时前更新
先了解这件事
AI 综述
2026年9月29日，泛林集团（Lam Research）提出自对准互补场效应晶体管（SA-CFET）架构。据IT之家10月5日报道，该架构有望将CMOS晶体管推进至10 Å（1nm）及以下节点，并可用于SRAM单元设计：6T SRAM单元面积较N3节点缩小52.7%。目前该架构处于提出与探索阶段，暂无量产或合作进展的报道。
AI 根据报道生成 · 1 小时前更新
最新进展10月5日 06:55
泛林集团提出SA-CFET架构，称6T SRAM单元面积较N3缩小52.7%，瞄准1nm及以下。报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月5日
- IT之家泛林集团探索 SA-CFET 架构：6T SRAM 单元面积较 N3 缩小 52.7%，瞄准 1nm 及以下节点
泛林集团（Lam Research）9 月 29 日提出自对准互补场效应晶体管（SA-CFET）架构，有望将 CMOS 晶体管推进至 10 Å（1nm）及以下。
本事件热度走势
还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。