长鑫科技拟用IPO超募资金180亿元加码DRAM研发与后道测试基地建设

长鑫科技9月28日晚公告，计划使用IPO超募资金180亿元推进DRAM技术研发和产业链建设，其中130亿元投入技术研发项目，另以增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司提供50亿元建设存储器晶圆后道测试基地二期项目。