美光预告 G11 NAND 闪存：超 400 层堆叠，2027H2 产能爬坡
美光预告 G11 NAND：超 400 层堆叠，双倍密度，2027H2 产能爬坡
摘要快讯
美光在 2026 年度技术网络研讨会上预告 G11 NAND 闪存，堆叠超过 400 层，采用晶圆对晶圆键合技术，存储密度约为现有 276 层 G9 NAND 的 2 倍，预计 2027H2 产能爬坡。
推荐理由
美光 G11 NAND 超 400 层堆叠与 2027H2 爬坡计划，属于影响存储供应链的闪存技术路线信号。
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来源：IT之家 · ithome.com