据报道三星计划在器兴园区新建2nm晶圆厂以扩大HBM基底的逻辑die产能
Samsung reportedly plans 2nm fab to boost HBM base-die output
摘要快讯
据DIGITIMES报道，三星电子计划在其韩国龙仁器兴（Giheung）园区新建一座2nm与4nm级代工晶圆厂，用于扩大高带宽内存（HBM）所用逻辑基底die的产能。报道称该晶圆厂造价估计约为25万亿韩元（约合……，原文数字被截断）。
推荐理由
三星计划新建2nm晶圆厂扩产HBM基底的逻辑die，属于可能影响存储供应格局的上游产能动向。
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