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IT之家·· 25 天前精选AI 评分73

三星将采用台积电 3nm 工艺为英伟达生产下一代 HBM 基底裸片

摘要快讯

据首尔经济日报报道，三星电子将采用台积电 3nm 工艺为英伟达生产下一代定制高带宽内存 NVHBM 的基底裸片，打破此前 HBM 全部自主生产的一站式模式。

推荐理由

三星为英伟达定制 HBM 改用台积电 3nm 代工基底裸片，反映存储供应链分工出现调整，可作行业动态跟进。

目前仅收录标题与摘要。详细参数、价格和实测信息，请查看原文。

来源：IT之家 · ithome.com

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