消息称佳能计划到 2029 年将后端光刻机产能提升 50%

据《日刊工业新闻》报道，佳能计划到 2029 年将面向半导体后端工艺的光刻机产能较当前水平提升 50%。佳能正在开发用于先进封装工艺的 i 线光刻设备，并开发了分辨率达 0.8μm、可处理 510×515mm 基板的大尺寸基板光刻机台。其半导体设备事业部负责人三浦圣也表示，无掩膜直写图案化方案目前暂时还不是 i 线光刻机在 RDL 生产领域的直接竞争对手。