美光预计 2028 年推出垂直堆叠 vHBM 与端侧推理 vEIM 内存

美光在 2026 年度技术网络研讨会上预计，2028 年标准 HBM5 面世时将带来两种新型 3DS 内存：vHBM 垂直堆叠 DRAM Die、Base Die 和 XPU 逻辑主芯片，缩短数据路径、提升带宽效率并降低能耗，可与标准 2.5D HBM 共存；vEIM 结构类似，瞄准端侧 AI 推理，初代目标 2TB/s 带宽和 <1pJ/bit 能效。