华邦电子称第二代 14nm DRAM 将引入 EUV，预计 2030 年导入
华邦电子：14nm DRAM 内存将有 EUV 版本，有望 2030 年导入
摘要快讯
据台媒 MoneyDJ 报道，华邦电子总经理陈沛铭表示计划在第二代 14nm 级 DRAM 工艺中应用 EUV 光刻，开发顺利预计 2030 年导入。
推荐理由
华邦披露 EUV 导入 DRAM 的时间表与 ASML 交付节奏，属存储供应链的中长期产能信号。
目前仅收录标题与摘要。详细参数、价格和实测信息，请查看原文。
来源：IT之家 · ithome.com