晶能微电子布局氮化镓，发布100V双向GaN功率管GE030E10VFQ及驱动芯片GE1011SD
晶能微布局氮化镓，双向GaN器件亮相！
摘要快讯
晶能微电子（GEENER）拓展氮化镓功率半导体布局，亮相100V双向GaN功率管GE030E10VFQ和配套驱动芯片GE1011SD，面向电池管理系统、储能、电动两轮车等领域。
推荐理由
晶能微双向GaN器件面向BMS与储能等低压大电流场景，属于上游功率器件动向，对快充供应链有参考价值。
目前仅收录标题与摘要。详细参数、价格和实测信息，请查看原文。
来源：充电头网 · 中文官网 · chongdiantou.com