分析称纯用国产设备制芯片或只能到28nm，瓶颈在光刻机

OFweek转载分析文章称，若全部使用国产半导体设备制造芯片，工艺水平将取决于最落后的国产光刻机而非刻蚀、沉积、清洗等设备。文章引用Yole整理的数据称，刻蚀机、沉积、清洗等设备已稳定量产5nm，多数设备实现28nm稳定量产，而光刻机仍在进行28nm研发、40nm测试，稳定量产仅90nm，因此纯国产设备可能连28nm芯片都难以制造。