三星电子、SK海力士升级中国工厂，将生产200层以上NAND闪存
三星电子、SK 海力士升级中国工厂，生产更先进闪存芯片
摘要快讯
据路透社援引知情人士报道，三星电子和SK海力士正升级中国工厂以生产更先进的闪存芯片。三星计划将西安工厂改造为生产286层V9 NAND闪存，目标今年12月实现每月5000片晶圆产量，2027年12月提升至4万片；SK海力士计划将大连工厂NAND产线从192层升级为240层以上产品。
推荐理由
路透社消息显示三星与SK海力士在华闪存工厂获准升级，产能目标与监管背景对存储供应链有参考价值。
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来源：IT之家 · ithome.com