三星HBM基底裸片首度交由台积电3纳米代工，为英伟达定制NVHBM供货

据《首尔经济日报》，三星电子决定采用台积电3纳米工艺，为英伟达下一代定制HBM生产基底裸片，是其首次将HBM底层制造外包给台积电。英伟达NVHBM架构将存储控制器搬进HBM底座，官方称PHY及辅助电路面积最高缩减67%，带宽较标准HBM4E提升最高30%、功耗降低最高15%；三星4纳米产线约50%至60%产能此前用于HBM4基底裸片，标准HBM及面向AMD等其他客户的定制产品仍维持全自主生产。