三星拟将西安厂升级至286层V-NAND，SK海力士大连厂计划升至240层以上
三星、SK海力士升级中国存储工厂！
摘要快讯
据路透社报道，三星计划通过代号Monami的项目将西安工厂升级至286层第九代V-NAND，目标2026年12月实现月产5000片晶圆、2027年12月提升至4万片；SK海力士计划将大连工厂NAND产品从192层升级至240层及以上，并拟向美国申请许可开展300层以上NAND研发。
推荐理由
两大存储原厂升级中国 NAND 工厂的具体层级与时间表完整，并附长江存储份额追赶数据，可作供应链上游变化参考。
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