长鑫科技宣布DRAM 4F架构与VSG垂直环绕栅极晶体管突破
长鑫把晶体管“竖起来”：绕开 EUV 的追赶路，会撼动存储三巨头吗？
摘要快讯
长鑫科技宣布在DRAM 4F架构和自研VSG（垂直环绕栅极）晶体管方向取得突破，首代4F产品定位DDR5 RDIMM，官方称预计年底推出，但未公布规格、良率和出货规模。
推荐理由
长鑫宣布4F架构与VSG垂直晶体管突破，作者拆解了技术原理、三大厂时间表和2028年后的供给风险，属于可跟踪的DRAM产业竞争信号。
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来源：OFweek · 电子工程与元器件 · ee.ofweek.com