忆元科技湾芯展展示HE-100存算一体平台与M100向量检索加速卡
130nm、百万级忆阻器，忆元科技存算一体开发平台亮相湾芯展
摘要快讯
忆元科技在湾芯展现场展示存算一体测试开发平台HE-100与向量检索加速卡M100。HE-100采用RRAM忆阻器路线，集成100万颗忆阻器，130nm工艺、2T2R架构，写入精度4bit，最多8个阵列协同，支持Python编程。
推荐理由
展会现场给出了忆阻器存算一体平台的具体工艺与架构参数，是存算一体芯片落地进展的一手信号。
目前仅收录标题与摘要。详细参数、价格和实测信息，请查看原文。
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