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OFweek · 电子工程与元器件·· 2026-10-13AI 评分63

率能半导体推出SS6343M三相BLDC驱动芯片,集成MOS与LDO

SS6343M|316V三相BLDC驱动芯片-内置MOS+LDO

摘要快讯

率能半导体推出SS6343M三相BLDC驱动芯片,面向316V供电的无刷电机场景,面向手持云台、小型风机、微型机器人等应用。芯片内置六颗N沟道功率MOSFET、栅极驱动、电荷泵及3.3V/100mA LDO,采用QFN24(3mm×4mm)封装,持续输出电流2A,峰值过流保护7A,工作电压3V~16V;支持三相独立使能与PWM控制,集成欠压锁定、过流、过温等硬件保护。

目前仅收录标题与摘要。详细参数、价格和实测信息,请查看原文。

来源:OFweek · 电子工程与元器件 · ee.ofweek.com