三星与SK海力士据报升级中国NAND工厂,应对长江存储竞争
Samsung, SK Hynix reportedly upgrading China NAND fabs to fend off YMTC amid softening US stance
摘要快讯
路透社10月21日援引四位知情人士报道称,三星电子与SK海力士正升级其中国NAND闪存工厂,以生产超过200层堆叠的芯片,背景是美国立场趋于软化、需应对长江存储(YMTC)的竞争。
目前仅收录标题与摘要。详细参数、价格和实测信息,请查看原文。
来源:DIGITIMES · 供应链资讯 · digitimes.com