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安世半导体发布750V SiC MOSFET与GaN FET新品
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先了解这件事
AI 综述
安世半导体（Nexperia）扩充其功率半导体产品阵容。据电子产品世界2026年11月13日报道，公司推出面向工业与汽车应用领域的750V碳化硅沟槽型MOSFET系列，并扩充氮化镓FET产品线。新增的SiC MOSFET系列提供TOLL封装选项，其中TOLL封装型号NSF020750LLB0的规格为：25℃下漏极电流额定值90A，100℃下为63A，脉冲峰值电流最高可达300A；在栅源电压18V、漏极电流30A、结温25℃的条件下，最大导通电阻为27mΩ。这是目前报道中关于该事件的全部事实信息，事件尚处于新品发布阶段，暂无后续市场反馈或进展报道。
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最新进展11月13日 09:11
安世推出750V SiC沟槽MOSFET系列并扩充GaN FET产品线。报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
11月13日
- 电子产品世界 · 行业新闻精选安世半导体推出750V碳化硅沟槽MOSFET系列并扩充氮化镓FET产品线
安世半导体（Nexperia）扩充碳化硅功率半导体产品阵容，推出面向工业与汽车领域的750V沟槽型MOSFET系列，新增TOLL封装选项，TOLL型号之一NSF020750LLB0在25℃下漏极电流额定90A、100℃下63A，脉冲峰值最高300A，栅源电压18V、漏极电流30A、结温25℃时最大导通电阻27mΩ。
本事件热度走势
当前热度 7·可比范围峰值 9（11月13日 13:00）·近 24 小时可比范围变化 –
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