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安世半导体推出750V碳化硅沟槽MOSFET系列并扩充氮化镓FET产品线

安世半导体扩充碳化硅功率半导体产品阵容,推出750V 沟槽型 MOSFET 系列

摘要快讯

安世半导体(Nexperia)扩充碳化硅功率半导体产品阵容,推出面向工业与汽车领域的750V沟槽型MOSFET系列,新增TOLL封装选项,TOLL型号之一NSF020750LLB0在25℃下漏极电流额定90A、100℃下63A,脉冲峰值最高300A,栅源电压18V、漏极电流30A、结温25℃时最大导通电阻27mΩ。

推荐理由

上游功率器件厂商扩充 SiC 与 GaN 产品线,可作为供应链技术动态留档跟踪。

目前仅收录标题与摘要。详细参数、价格和实测信息,请查看原文。

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