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Cascode SiC JFET用于高频LLC拓扑硬件实测验证
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AI 综述
据OFweek电子工程与元器件2026年11月12日报道，Cascode SiC JFET在LLC拓扑中的应用已通过硬件实测得到验证。测试基于无负载半桥谐振测试平台，所用器件为Cascode SiC JFET（型号NTBT023N075CJ4，TOLT封装），安装于LLC变换器初级侧。实测条件为400V直流输入、990kHz开关频率、75ns死区时间。测试结果表明，在该条件下ZVS可维持充足裕量，实测关断dv/dt为31.4V/ns。报道通过上述实测数据说明了该器件在高频LLC应用中的表现。
AI 根据报道生成 · 12 小时前更新
最新进展11月12日 11:52
实测显示400V输入、990kHz、75ns死区下ZVS裕量充足，关断dv/dt为31.4V/ns。报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
11月12日
- OFweek · 电子工程与元器件精选Cascode SiC JFET在LLC拓扑中的应用详解：硬件实测与验证
文章基于无负载半桥谐振测试平台，实测Cascode SiC JFET（型号NTBT023N075CJ4，TOLT封装）在LLC变换器初级侧的表现，在400V直流输入、990kHz开关频率、75ns死区时间下验证ZVS可维持充足裕量，实测关断dv/dt为31.4V/ns。
本事件热度走势
当前热度 7·可比范围峰值 10（11月12日 13:00）·近 24 小时可比范围变化 –
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