消息称三星电子计划明年初完成先进封装技术 3D Cube-H 开发

据韩媒 ZDNET Korea 报道，三星电子计划明年初完成先进封装技术 3D Cube-H 的开发，该技术采用混合键合将多颗芯片垂直堆叠，端子间距约 6 μm，远小于 TC 键合的约 25 μm，主要面向超高性能 AI 芯片。业内人士称三星计划明年初完成首个设计套件，之后与潜在客户评估，若成功其代工业务有望拿到大客户订单。