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三星推进3D Cube-H先进封装开发，瞄准AI芯片订单
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AI 综述
据韩媒 ZDNET Korea 报道，三星电子正在开发先进封装技术 3D Cube-H。该技术采用混合键合方式将多颗逻辑芯片垂直堆叠，端子间距约 6 μm，远小于传统 TC 键合的约 25 μm，主要面向超高性能 AI 芯片。据业内人士透露，三星计划于明年初完成首个设计套件，之后与潜在客户进行评估；若评估顺利，其代工业务有望借此获得大客户订单。后续 DIGITIMES 援引同一报道指出，首个设计套件计划于 2027 年初完成，随后将进行潜在客户评估；DIGITIMES 还提到，李在镕于 2026 年 11 月 1 日到访三星位于日本横滨的先进封装实验室。目前该技术仍处开发阶段，三星尚未公布具体量产时间表。
AI 根据报道生成 · 1 天前更新
最新进展11月11日 15:25
DIGITIMES 确认首个设计套件计划2027年初完成，并披露李在镕11月1日视察横滨封装实验室。报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
11月11日
- DIGITIMES · 供应链资讯三星计划2027年初完成首个3D Cube-H设计套件
DIGITIMES援引ZDNet Korea 11月10日报道，三星电子计划在2027年初完成首个3D Cube-H设计套件，该技术是一种用于垂直堆叠逻辑芯片的混合铜键合技术，随后将进行潜在客户评估。报道称李在镕于2026年11月1日到访三星位于日本横滨的先进封装实验室。
11月10日
- IT之家精选消息称三星电子计划明年初完成先进封装技术 3D Cube-H 开发
据韩媒 ZDNET Korea 报道，三星电子计划明年初完成先进封装技术 3D Cube-H 的开发，该技术采用混合键合将多颗芯片垂直堆叠，端子间距约 6 μm，远小于 TC 键合的约 25 μm，主要面向超高性能 AI 芯片。业内人士称三星计划明年初完成首个设计套件，之后与潜在客户评估，若成功其代工业务有望拿到大客户订单。
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