台积电被曝应英伟达要求筹划3D DRAM内存生产

快科技援引知情人士报道称，台积电正考虑生产3D DRAM内存芯片，推动方为其最大客户英伟达，起因是AI服务器内存供应紧张推高价格，英伟达在寻找更多供货来源。3D DRAM将存储单元从平面排列改为向上堆叠，与HBM堆叠封装做法不同；计划由台积电先进封装业务副总裁牵头，涉及CoWoS等技术，工厂路径评估新建先进内存工厂或收购现有厂房改造，时间表尚未披露，台积电和英伟达未回应置评请求。