台积电被传应英伟达要求评估3D DRAM生产，公司否认
先了解这件事
据《The Information》2026年11月7日援引知情人士报道，台积电考虑进军先进内存芯片制造，近期已应英伟达要求开始规划生产3D DRAM——一种通过垂直堆叠存储单元提升容量的内存芯片。报道称，台积电尚未确定量产时间和产能来源，正在评估两条路径：兴建专用新厂，或收购现有晶圆厂加以改造；该计划据称由负责先进封装的副总裁徐国晋监督，涉及CoWoS等技术，背景是AI服务器内存供应紧张推高价格，英伟达在寻找更多供货来源。若计划落地，台积电将切入目前由三星、SK海力士和美光主导的存储市场。台积电最初回应称不评论市场传闻，英伟达未予置评。11月8日，台积电向Tom's Hardware否认应英伟达要求研发3D DRAM，强调公司始终专注于专业集成电路代工核心业务。11月9日，上海有色网援引The Information报道称，台积电仍在应英伟达要求评估生产3D DRAM的可行性，尚无生产承诺，也未披露时间表、投资规模或产能目标；报道称此轮存储短缺由AI基建拉动高带宽存储需求所致，已推高苹果iPhone、索尼PlayStation等终端售价，长鑫存储亦计划扩产，台积电股价随Taiex本周大跌。同日OFweek援引快科技的报道与上述内容基本一致。11月13日，台积电再次否认将生产3D DRAM，重申专注晶圆代工核心业务，暂无自主生产DRAM的明确计划。目前台积电否认与评估中的说法并存，双方均无官方确认。
AI 根据报道生成 · 13 小时前更新
事件进展
- 11月9日 08:28 · 1 篇报道台积电应英伟达要求评估3D DRAM存储芯片生产上海有色网 · 公开金属资讯：英伟达催单下台积电评估生产3D DRAM存储芯片
- 11月8日 10:48 · 2 篇报道台积电否认应英伟达要求研发3D DRAMIT之家：台积电否认应英伟达要求研发 3D DRAM，称将专注于集成电路代工核心业务
- 11月7日 07:59 · 2 篇报道台积电传考虑生产3D DRAM内存芯片IT之家：消息称台积电考虑进军先进内存芯片制造，有望为英伟达打造 3D DRAM
报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
- OFweek · 电子工程与元器件台积电被曝应英伟达要求筹划3D DRAM内存生产
快科技援引知情人士报道称，台积电正考虑生产3D DRAM内存芯片，推动方为其最大客户英伟达，起因是AI服务器内存供应紧张推高价格，英伟达在寻找更多供货来源。3D DRAM将存储单元从平面排列改为向上堆叠，与HBM堆叠封装做法不同；计划由台积电先进封装业务副总裁牵头，涉及CoWoS等技术，工厂路径评估新建先进内存工厂或收购现有厂房改造，时间表尚未披露，台积电和英伟达未回应置评请求。
- 上海有色网 · 公开金属资讯英伟达催单下台积电评估生产3D DRAM存储芯片
据The Information周五报道，台积电正应英伟达要求评估生产先进存储芯片（3D DRAM）的可行性，尚无生产承诺，也未披露时间表、投资规模或产能目标。报道称此轮存储短缺由AI基建投资拉动高带宽存储需求所致，已推高苹果iPhone、索尼PlayStation等终端售价；长鑫存储亦计划扩产，台积电股价随Taiex本周大跌。
- IT之家精选台积电否认应英伟达要求研发 3D DRAM，称将专注于集成电路代工核心业务
据 The Information 报道，台积电被指在最大客户英伟达提出要求后开始为 3D DRAM 制造业务制定计划，由负责先进封装的副总裁徐国晋监督，但台积电向 Tom's Hardware 否认，强调始终专注于专业集成电路代工核心业务。
- IT之家消息称台积电考虑进军先进内存芯片制造，有望为英伟达打造 3D DRAM
《The Information》援引知情人士报道称，台积电考虑进军先进内存芯片制造，近期已应英伟达要求开始规划生产通过垂直堆叠存储单元提升容量的 3D DRAM。台积电尚未确定量产时间和产能来源，正在评估兴建专用新厂或收购现有晶圆厂改造两条路径。此举若落地将切入三星、SK 海力士和美光主导的存储市场；台积电回应不评论市场传闻，英伟达未置评。
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当前热度 7·可比范围峰值 25（11月9日 10:00）·近 24 小时可比范围变化 –
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