英飞凌宣布制造全球首个 300mm 碳化硅功率器件晶圆

英飞凌当地时间 11 月 9 日宣布，在奥地利 Villach 晶圆厂利用现有硅制造设备，率先在全规模晶圆厂环境中将 300mm（12 英寸）碳化硅晶圆加工为功率半导体器件。公司将联合客户规划 12 英寸 SiC 技术及量产时机，同时推进 200mm SiC 路线图，并在德国德累斯顿工厂验证了冷分片技术在 12 英寸 SiC 上的可行性，该工艺可提升晶锭到晶圆的效率并减少加工损耗。