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英飞凌发布全球首个300mm碳化硅功率器件晶圆
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AI 综述
英飞凌于当地时间2026年11月9日宣布，在奥地利Villach晶圆厂利用现有硅制造设备，率先在全规模晶圆厂环境中将300mm（12英寸）碳化硅晶圆加工为功率半导体器件，称其为全球首个300mm碳化硅功率器件晶圆。公司将联合客户规划12英寸SiC技术及量产时机，同时继续推进200mm SiC路线图。此外，英飞凌在德国德累斯顿工厂验证了冷分片技术在12英寸SiC上的可行性，该工艺可提升晶锭到晶圆的效率并减少加工损耗。11月11日DIGITIMES跟进报道称，英飞凌宣布已在Villach工厂将300mm SiC晶圆加工成功能性功率器件，为全规模半导体制造环境下的行业首次。目前事件仍处于公司官宣阶段，量产时间及客户合作细节尚未公布。
AI 根据报道生成 · 23 小时前更新
最新进展11月11日 12:03
DIGITIMES 11月11日跟进报道，确认英飞凌已在300mm SiC晶圆上加工出功能性功率器件。报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
11月11日
- DIGITIMES · 供应链资讯精选英飞凌宣布在奥地利工厂于300mm SiC晶圆上加工出功能性功率器件
英飞凌于2026年11月9日宣布，已在奥地利Villach工厂将300mm碳化硅（SiC）晶圆加工成功能性功率器件，并称这是在全规模半导体制造环境下的行业首次。
11月10日
- IT之家精选英飞凌宣布制造全球首个 300mm 碳化硅功率器件晶圆
英飞凌当地时间 11 月 9 日宣布，在奥地利 Villach 晶圆厂利用现有硅制造设备，率先在全规模晶圆厂环境中将 300mm（12 英寸）碳化硅晶圆加工为功率半导体器件。公司将联合客户规划 12 英寸 SiC 技术及量产时机，同时推进 200mm SiC 路线图，并在德国德累斯顿工厂验证了冷分片技术在 12 英寸 SiC 上的可行性，该工艺可提升晶锭到晶圆的效率并减少加工损耗。
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