消息称台积电考虑进军先进内存芯片制造，有望为英伟达打造 3D DRAM

《The Information》援引知情人士报道称，台积电考虑进军先进内存芯片制造，近期已应英伟达要求开始规划生产通过垂直堆叠存储单元提升容量的 3D DRAM。台积电尚未确定量产时间和产能来源，正在评估兴建专用新厂或收购现有晶圆厂改造两条路径。此举若落地将切入三星、SK 海力士和美光主导的存储市场；台积电回应不评论市场传闻，英伟达未置评。