英飞凌宣布在奥地利工厂于300mm SiC晶圆上加工出功能性功率器件
Infineon says it processed functional power devices on 300mm SiC wafers
摘要快讯
英飞凌于2026年11月9日宣布，已在奥地利Villach工厂将300mm碳化硅（SiC）晶圆加工成功能性功率器件，并称这是在全规模半导体制造环境下的行业首次。
推荐理由
英飞凌300mm SiC晶圆量产工艺进展属于功率器件供应链动态，对充电配件上游成本与技术路线有参考价值。
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来源：DIGITIMES · 供应链资讯 · digitimes.com